高邊和低邊MOSFET（或低邊續流二極管）該如何選型？

　　功率MOSFET的選型

　　本節要討論的問題是，非同步或同步降壓型開關控制器電源電路中，高邊和低邊MOSFET（或低邊續流二極管）該如何選型？

　　非同步或同步降壓電路中使用的功率開關元件，除了少數器件使用三極管和P-MOSFET外，多數都使用N-MOSFET。功率MOSFET重要的五個參數是，擊穿電壓VBR(DSS)（漏極-源極之間的耐壓）、最大漏極-源極電流IDS(MAX)或連續漏極電流ID、導通電阻RDS(ON)、閾值電壓VGS(TH)和反向傳輸電容CRSS。

　　當功率MOSFET應用在降壓電路時，其參數需要滿足以下條件：

　　1、擊穿電壓值VBR(DSS)：必須大于最大輸入電壓VIN(MAX)，而且留出一定的裕量來應對因寄生電感等導致的輸入電壓尖峰，通常可取功率MOSFET耐壓值為最大輸入電壓VIN(MAX)的1.3 – 1.5倍。

　　2、連續漏極電流ID：（在CCM模式下）高邊開關管MOSFET的過流能力IDS(MAX)至少需要大于等于其上平均電流D*Iout（公式(3.232)）或有效電流 √(D×(I_OUT^2+(?I_L^2)/12) ) （公式(3.236)）；低邊開關管MOSFET的過流能力至少需要大于等于其上平均電流(1-D)*Iout（公式(3.239)）或 √((1-D)×(I_OUT^2+(?I_L^2)/12) ) （公式(3.240)）。更加嚴格的高邊和低邊開關管MOSFET過流能力選擇，可以選擇大于等于電感上的峰值電流（Iout+(1/2)*ΔIL）。

　　3、導通電阻RDS(ON)：降壓電路在CCM模式下高邊和低邊開關管MOSFET的導通損耗計算公式分別為

　　P_(SW-H,COND,AVG,TSW) = I_OUT^2 × R_(DS(ON)-H) × D

　　P_(SW-L,COND,AVG,TSW) = I_OU^2 × R_(DS(ON)-L) × (1-D)

　　可見，為了實現更高的轉換效率，高邊和低邊開關管MOSFET導通電阻RDS(ON)參數越小越好。

　　所以，為了實現目標轉換效率（通常，目標轉換效率是“設計需求”中需要明確的參數之一），在要求總損耗功率為定值，進而分配的導通損耗為定值的情況下，高邊和低邊開關管MOSFET導通電阻RDS(ON)可取的最大值分別如下：
　　這就是在BUCK電路設計中進行功率MOSFET選型時其導通電阻RDS(ON)這個參數的選擇依據。