N溝道MOSFET是怎么樣的

N溝道MOSFET具有位于源極和漏極端子之間的N溝道區域。它是一個四端子設備，其端子分別為柵極，漏極，源極，主體。在這種場效應晶體管中，漏極和源極是重摻雜的n +區域，襯底或主體是P型的。  

由于帶負電的電子，在這種類型的MOSFET中發生電流流動。當我們在柵極端子上施加具有排斥力的正電壓時，則存在于氧化層下方的空穴將被向下推入基板。耗盡區由與受體原子相關的結合負電荷構成。  

在電子到達時，形成通道。正電壓還將電子從n +源極和漏極區吸引到溝道中。現在，如果在漏極和源極之間施加電壓，電流將在源極和漏極之間自由流動，而柵極電壓控制著溝道中的電子。

如果我們施加負電壓，則將在氧化層下方形成一個空穴通道，而不是正電壓。