可控硅燒壞的原因

1.逆向電壓過大

可控硅是一種雙向開關(guān)，其能夠承受的逆向電壓與正向電壓不同。一般來說，可控硅能夠承受的逆向電壓為其正向電壓的幾倍至十幾倍。如果逆向電壓超過了可控硅所能承受的范圍，就會(huì)導(dǎo)致可控硅燒壞。

2.過電流作用

過電流的作用是可控硅燒壞的另一個(gè)常見原因。在使用可控硅的過程中，一旦電流超過了其所能承受的范圍，就會(huì)導(dǎo)致可控硅發(fā)熱失控、封裝熔化等問題，最終燒壞可控硅。

3.溫度過高

可控硅的溫度太高也是其燒壞的原因之一。一般情況下，可控硅的最大工作溫度為80℃至120℃左右，如果超出這個(gè)范圍就會(huì)導(dǎo)致可控硅失控甚至燒壞。

4.頻繁開關(guān)

頻繁開關(guān)也是可控硅燒壞的原因之一。頻繁開關(guān)會(huì)使得電流、電壓不穩(wěn)定，從而導(dǎo)致可控硅負(fù)載過重、器件老化等問題，最終燒壞可控硅。

5.電壓互感器和電流互感器不匹配

電壓互感器和電流互感器的不匹配也是可控硅燒壞的一個(gè)因素。電壓互感器的比值不足時(shí)就會(huì)使可控硅閉合角度太小，電流互感器的比值不足時(shí)就會(huì)使可控硅動(dòng)作失效，這些問題都容易導(dǎo)致可控硅燒壞。