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MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

日期:2023-08-02 分類:產(chǎn)品知識(shí) 瀏覽:803 來源:


  場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

  場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù)

  1.夾斷電壓Up

  在UDS為某一固定值的條件下,使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí),柵極上所加偏壓UGS就是夾斷電壓。它適用于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管及耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

  2. 開啟電壓UT

  在UDS為某一固定值的條件下,使S極與D極之間形成導(dǎo)電溝道的UGS就是開啟電壓。它只適用于增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

  3. 飽和電流IDSS

  在UDS =0的條件下,漏極與源極之間所加電壓大于夾斷電壓時(shí)的溝道電流稱為飽和電流,它適用于耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管

  4. 直流輸入電阻RGS

  在場(chǎng)效應(yīng)管輸入端(即柵源之間)所加的電壓Ucs與流過的柵極電流之比,稱作直流輸入電阻。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 8Ω,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的直流輸入電阻為1 X 10 12Ω 以上。

  5. 漏源擊穿電壓BVDS

  在增大漏師、電壓的過程中.使ID開始劇增的UDS值,稱為漏源擊穿電壓。BVDS確定了場(chǎng)效應(yīng)管的使用電壓。

  6. 柵源擊穿電壓BVGS

  對(duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管來說,反向飽和電流開始劇增時(shí)的UGS值,即為柵游、擊穿電壓。對(duì)于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管來說,它是使SiO2 絕緣層擊穿的電壓。

  場(chǎng)效應(yīng)管的微變參數(shù)

  <1.跨導(dǎo)gm

  在漏源電壓UDS一定時(shí),漏極電流ID的微量變化和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo),即

  跨導(dǎo)是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID控制能力的一個(gè)參數(shù),也是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大作用的重要參數(shù)之一。

  <2. 漏源動(dòng)態(tài)電阻rDS

  在柵灑、電壓一定時(shí), UDS的微小變化量與ID的變化量之比,稱為漏源動(dòng)態(tài)內(nèi)阻rDS ,即

  rDS的取值范圍一般為數(shù)千歐至數(shù)百千歐。

  場(chǎng)效應(yīng)管的其他參數(shù)

  ①極間電容。場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極間都存在著極間電容,即柵師、電容CGS、柵漏電容CGD和師、漏電容CDS。CGS和CGD一般為1 - 3pF , CDS約為0.1 - 1pF 。

  ②漏源最大電流IDM

  它是指場(chǎng)效應(yīng)管漏源極的允許通過的最大電流。

  ③場(chǎng)效應(yīng)管耗散功率PD

  它是指場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)所耗散的功率。

  ④低頻噪聲系數(shù)NF

  場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是由內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性引起的。它的存在會(huì)使一個(gè)放大器即使在沒有信號(hào)輸入時(shí),在輸出端也會(huì)出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流的變化。場(chǎng)效應(yīng)管的低頻噪聲系數(shù)要比半導(dǎo)體三極管小。


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