二極管是基礎的電子元器件，在電子電路的應用中也是十分的普遍，如果在應用中二極管出現過載損壞，該如何避免呢？

      耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。是某一時刻電網元件或者全網有功輸入總功率與有功輸

出總功率的差值。在線性條件下，導通的耗散功率計算比較簡單，PD=I2R,或者PD=U2/R;而在開關狀態下，計算相對比較復雜。

       二極管的耗散功率與允許的節溫有關，硅二極管允許的最大節溫是150℃，而鍺允許最大節溫85℃。半導體工作溫度是有限的，當實際的功率增大是，其節溫也將變大，

當節溫達到150℃是，此時的功率就是最大的耗散功率。當然，耗散功率與封裝大小也有一定的關系，通常封裝大點的器件，其最大耗散功率也相對大些，最常見的就是大功

率器件擁有大體積，大面積的散熱金屬面。

       一個具體型號的二極管其耗散功率與測試條件有關，比如測試環境溫度和散熱條件。通常情況下，測試出來的最大耗散功率是在25℃下。隨著環境溫度的升高，其最大的

耗散功率將減少，因為該條件下的導熱溫差變小，比如說在25℃下，某款二極管耗散功率能達到1W，在75℃情況下，耗散功率可能變成0.4W。允許最大耗散功率與散熱條件

有關，散熱條件越好，耗散功率越高，在同一環境溫度下，耗散功率為1W，加了散熱片之后，耗散功率可能變為1.7W。

       表征散熱措施的一個參數是熱阻。熱阻反映阻止熱量傳遞能力的綜合參量。熱阻跟電子學里的電阻類似，都是反映“阻止能力”大小的參考量。熱阻越小，傳熱能力越強;

反之，熱阻越大，傳熱能力越小。從類比的角度來看，熱量相當于電流，溫差相當于電壓，熱阻相當于電阻。其中，熱阻Rja：芯片的熱源結到周圍冷卻空氣的總熱阻，其單位是℃/W，表示在1W下，導熱兩端的溫差。

        在0～50℃時，耗散功率恒為400mW，在50～150℃時，線性遞減，到達150℃，耗散功率為0，在這個溫度，硅管已經不能工作了。從這個表中，可以計算出熱阻，其

線性部分斜率倒數：

    |1/k|=Rja=(150-50)/0.4=250℃/W

    根據這個表，可得：

    PD=-1/250(TA-50)+0.4，(TA-≥50)

       根據上述這個公式，我們可計算出1N4148WS開關管在不同環境溫度下最大的耗散功率。

       在實際電路設計過程中，大多數研發工程師更關注器件工作時的溫度，以確保在安全的工作范圍。以1N4448WS為例，在環境溫度為50℃情況下，實際功率為200mW時，其溫度為50+250*0.2=100℃，其能正常工作;當實際功率為400mW時，其溫度為50+250*0.4=150℃，這時候已經達到節溫的最大溫度了，比較危險，應當避免。

      二極管的傳熱方面，主要考慮PD和熱阻Rja，前者是最大耗散功率，實際工作不能超過這個數值，后者是傳熱阻力參量，放映不同二極管的傳熱能力。在使用二極管時，不但要考慮正向電流、反向耐壓和開關時間，還應該考慮到耗散功率。